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  • 砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000, >12.5 GHz 美國EOT

    砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000, 12.5 GHz 美國EOT 筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產品 EOT 的 >10 GHz 光電探測器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應將光功率轉換為電流

    更新時間：2024-12-06
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  • 砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000F, >12.5 GHz 美國EOT

    砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000F, 12.5 GHz 美國EOT 產品總覽 筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產品 EOT 的 10 GHz 光電探測器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應將光功率轉換為電流。

    更新時間：2025-01-22
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  • ET-5000-銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美 國EOT PD

    銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, 10 GHz 美 國EOT [PDF] 筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產品 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, 10 GHz 美 國EOT PD

    更新時間：2024-12-06
    產品型號：ET-5000-
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  • 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000F, >10 GHz 美國EOT

    銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000F, 10 GHz 美國EOT 產品總覽 筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產品 EOT 的 10 GHz 光電探測器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應將光功率轉換為電流。

    更新時間：2025-01-22
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  • 6mm大光敏面(Si)硅光電探測器

    6mm大光敏面(Si)硅光電探測器 器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。

    更新時間：2026-06-09
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