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  • 905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46)

    905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm。大光敏面，高速響應(yīng)，高增益，低噪聲。

    更新時(shí)間：2024-12-05
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  • Si光電探測(cè)器 光敏面直徑2mm

    Si光電探測(cè)器 光敏面直徑2mm 器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間：2026-06-09
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  • 法蘭式Si光電探測(cè)器 光敏面直徑200um

    法蘭式Si光電探測(cè)器 光敏面直徑200um 器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間：2026-06-09
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  • Si光電探測(cè)器 光敏面直徑4mm

    Si光電探測(cè)器 光敏面直徑4mm 器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間：2026-06-09
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  • 6mm大光敏面硅（Si）光電探測(cè)器

    6mm大光敏面硅（Si）光電探測(cè)器 產(chǎn)品總覽 器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間：2024-12-05
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