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當(dāng)前位置：首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器Si硅光電探測(cè)器

  • 400-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器

    400-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

    更新時(shí)間：2025-11-10
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  • 6mm大光敏面(Si)硅光電探測(cè)器

    6mm大光敏面(Si)硅光電探測(cè)器 器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間：2026-06-09
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • PDA8A2(DP)320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器

    320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

    更新時(shí)間：2025-07-03
    產(chǎn)品型號(hào)：PDA8A2(DP)
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  • 硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz

    硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。

    更新時(shí)間：2024-12-06
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  • 145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖)

    145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 產(chǎn)品總覽 該產(chǎn)品是為數(shù)據(jù)通信（ 1T/bs PAM），電信和微波光子應(yīng)用而研發(fā)的145GHz超快光電探測(cè)器模塊。

    更新時(shí)間：2024-12-06
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